Research progress on laser-produced plasma light source for 13.5 nm extreme ultraviolet lithography
宗 楠 ZONG Nan, 胡蔚敏 HU Wei-min, 王志敏 WANG Zhi-min, 王小军 WANG Xiao-jun, 张申金 ZHANG Shen-jin, 薄 勇 BO Yong, 彭钦军 PENG Qin-Jun, 许祖彦 XU Zu-yan
Abstract
半导体产业是高科技、信息化时代的支柱。光刻技术，作为半导体产业的核心技术之一，已成为世界各国科研人员的重点研究对象。本文综述了激光等离子体13.5 nm极紫外光刻的原理和国内外研究发展概况，重点介绍了其激光源、辐射靶材和多层膜反射镜等关键系统组成部分。同时，指出了在提高激光等离子体13.5 nm极紫外光源输出功率的研究进程中所存在的主要问题，包括提高转换效率和减少光源碎屑。特别分析了目前已实现百瓦级输出的日本Gigaphoton公司和荷兰的ASML公司的极紫外光源装置。最后对该项技术的发展前景进行了总结与展望。
Topics & Concepts
Extreme ultraviolet lithographyExtreme ultravioletPlasmaLithographyMaterials scienceLaserUltravioletOptoelectronicsLight sourceOpticsUltraviolet lightPhysicsNuclear physicsLaser Design and ApplicationsLaser-Matter Interactions and ApplicationsPhotocathodes and Microchannel Plates