Investigation of a vertical 2D/3D semiconductor heterostructure based on GaSe and Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>
Sahin Sorifi, Shuchi Kaushik, Hardhyan Sheoran, Rajendra Singh
Abstract
Abstract Mixed-dimensional heterostructures are emerging to be very promising for future electronic and optoelectronic applications. Here, we report on the fabrication and characterization of a 2D/3D vertical van der Waals p–n heterojunction based on p-type gallium selenide (GaSe) and n-type gallium oxide ( <mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" overflow="scroll"> <mml:mrow> <mml:mtext>G</mml:mtext> </mml:mrow> <mml:mrow> <mml:msub> <mml:mrow> <mml:mtext>a</mml:mtext> </mml:mrow> <mml:mn>2</mml:mn> </mml:msub> </mml:mrow> <mml:mrow> <mml:msub> <mml:mrow> <mml:mtext>O</mml:mtext> </mml:mrow> <mml:mn>3</mml:mn> </mml:msub> </mml:mrow> </mml:math> ). Kelvin Probe Force Microscopic (KPFM) measurements have been conducted to estimate the difference in the surface potential values between GaSe and <mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" overflow="scroll"> <mml:mrow> <mml:mtext>G</mml:mtext> </mml:mrow> <mml:mrow> <mml:msub> <mml:mrow> <mml:mtext>a</mml:mtext> </mml:mrow> <mml:mn>2</mml:mn> </mml:msub> </mml:mrow> <mml:mrow> <mml:msub> <mml:mrow> <mml:mtext>O</mml:mtext> </mml:mrow> <mml:mn>3</mml:mn> </mml:msub> </mml:mrow> </mml:math> , which is further used to find out the conduction band offset value at the GaSe/ <mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" overflow="scroll"> <mml:mrow> <mml:mtext>G</mml:mtext> </mml:mrow> <mml:mrow> <mml:msub> <mml:mrow> <mml:mtext>a</mml:mtext> </mml:mrow> <mml:mn>2</mml:mn> </mml:msub> </mml:mrow> <mml:mrow> <mml:msub> <mml:mrow> <mml:mtext>O</mml:mtext> </mml:mrow> <mml:mn>3</mml:mn> </mml:msub> </mml:mrow> </mml:math> hetero-interface to design the band diagrams. The current–voltage measurements on the device display a diode-like behavior which is attributed to the type-II band alignment, present at the p–n junction interface as per the electron affinities and bandgap values of GaSe and <mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" overflow="scroll"> <mml:mrow> <mml:mtext>G</mml:mtext> </mml:mrow> <mml:mrow> <mml:msub> <mml:mrow> <mml:mtext>a</mml:mtext> </mml:mrow> <mml:mn>2</mml:mn> </mml:msub> </mml:mrow> <mml:mrow> <mml:msub> <mml:mrow> <mml:mtext>O</mml:mtext> </mml:mrow> <mml:mn>3</mml:mn> </mml:msub> </mml:mrow> </mml:math> . The device exhibits a high current rectification ratio of ∼2500 extracted at <mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" overflow="scroll"> <mml:mo>±</mml:mo> <mml:mn>5</mml:mn> </mml:math> V. The photoresponse properties of the heterostructure are also studied and the figure of merit parameters of the photodetector such as photoresponsivity and specific detectivity have been evaluated for the fabricated device. Since the GaSe/ <mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" overflow="scroll"> <mml:mrow> <mml:mtext>G</mml:mtext> </mml:mrow> <mml:mrow> <mml:msub> <mml:mrow> <mml:mtext>a</mml:mtext> </mml:mrow> <mml:mn>2</mml:mn> </mml:msub> </mml:mrow> <mml:mrow> <mml:msub> <mml:mrow> <mml:mtext>O</mml:mtext> </mml:mrow> <mml:mn>3</mml:mn> </mml:msub> </mml:mrow> </mml:math> heterojunction holds a great potential in the field of efficient optoelectronic devices, we believe our study could pave the way to designing innovative optoelectronic devices by integrating low-dimensional materials with conventional 3D semiconducting materials.