Radiation hardness of the low gain avalanche diodes developed by NDL and IHEP in China

Y. Fan, S. Alderweireldt, C. Agapopoulou, N. Atanov, Mohamad Kassem Ayoub, D. Caforio, Hsin‐Hsi Chen, Simon Christie, J. Barreiro Guimarães da Costa, H. Cui, G. D’amen, Yu. I. Davydov, R. Kiuchi, André S. Ferreira, Z. Galloway, M. Garau, L. Castillo García, Jin Ge, C. M. Gee, G. Giacomini, V. Gkoukousis, C. Grieco, S. Guindon, Dejun Han, S. Han, Yanping Huang, Yuanwei Jin, M. Q. Jing, E. S. Kuwertz, C. Labitan, M. A. L. Leite, Bo Li, Hongwei Liang, Zhijun Liang, B. Liu, Jia Liu, M. Lockerby, F. Lyu, N. Makovec, S. M. Mazza, F. Martinez-Mckinney, I. Nikolic-Audit, R. Padilla, Baohua Qi, K. Ran, Hang Ren, C. Rizzi, Enrico Rossi, S. Sacerdoti, H. F-W. Sadrozinski, G.T. Saito, B. A. Schumm, A. Seiden, L. Shan, Liting Shi, Yuhang Tan, A. Tricoli, S. Trincaz-Duvoid, M. Wilder, Kewei Wu, William F. Wyatt, X. Shi, Tao Yang, Yingguo Yang, C. Yu, Xiaoling Zhang, Linlin Zhao, Mei Zhao, Y. Zhao, Z. Zhao, X. Zheng, X. Zhuang